长宁存储对外宣布128层堆栈闪存芯片后，凭借特有的xtacking晶栈架构，在存储芯片容量密度、读写速度和稳定性等方面，都领先了国际技术大厂。

    在研发周期、生产成本等方面，也要低于V-NANd（韩国）、cuA（镁光、intel）、bicS（铠侠、SK海力士、西数）等架构。

    这就对技术大厂们产生了直接的实质性威胁。

    韩国媒体自然联想到了面板，直言不讳：

    “长宁存储已经成为全球3dNANd领头羊，对我国构成了严峻挑战和实质性威胁。”

    日本媒体想到了汽车，但是他们的态度更却乐观、积极：

    “长宁存储利用自身优势，加快闪存芯片的商业化应用，将为半导体存储产业竞